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P沟道MOS管 EMZF50P02J SOT-23
P沟道MOS管 EMZF50P02J SOT-23
产品品牌:杰力
产品类型:P沟道MOS管
产品型号:EMZF50P02J
产品封装:SOT-23
产品标题:P沟道MOS管 EMZF50P02J SOT-23 贴片小封装MOSFET -20V中低压场效应管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


P沟道MOS管 EMZF50P02J SOT-23 贴片小封装MOSFET -20V中低压场效应管



EMZF50P02J的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS-20V
栅极-源极电压
VGS±8

漏极电流-连续

TA=25℃

ID
-4A

漏极电流-连续

TA=70℃

-3.5
漏极电流-脉冲IDM-16
功耗 TA=25℃PD
1.25W
功耗 TA=70℃0.8
结温和存储温度Tj,Tstg
-55~+150




EMZF50P02J的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压V(BR)DSS-20

V
栅极开启电压VGS(th)-0.3-0.65-1
栅极漏电流
IGSS

±10nA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V

IDSS


-1μA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V,Tj=125℃



-10

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-4A

RDS(ON)

3744

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-3A


5570

静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-1A


6590
正向跨导gfs
14
S
输入电容Ciss
1059
pF
输出电容Coss
132
反向传输电容Crss
127
栅源电荷密度Qgs
1.8
nC
栅漏电荷密度Qgd
3.2
开启延迟时间td(on)
15
nS
开启上升时间tr
30
关断延迟时间td(off)
35
开启下降时间tf
35




EMZF50P02J的封装外形尺寸:

blob.png


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