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双P沟道MOS管 EMF60B02VA EDFN2X2
双P沟道MOS管 EMF60B02VA EDFN2X2
产品品牌:杰力
产品类型:P沟道MOS管
产品型号:EMF60B02VA
产品封装:EDFN2X2
产品标题:-20V场效应管 EMF60B02VA EDFN2X2 贴片MOSFET 双P沟道MOS管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


-20V场效应管 EMF60B02VA EDFN2X2 贴片MOSFET 双P沟道MOS管



EMF60B02VA的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS-20V
栅极-源极电压
VGS±8

漏极电流-连续

TA=25℃

ID
-3A

漏极电流-连续

TA=70℃

-2
漏极电流-脉冲IDM-12
功耗 TA=25℃PD
1.9W
功耗 TA=70℃1.2
结温和存储温度Tj,Tstg
-55~+150




EMF60B02VA的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压V(BR)DSS-20

V
栅极开启电压VGS(th)-0.35-0.60-0.85
栅极漏电流
IGSS

±100nA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V

IDSS


-1μA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V,Tj=125℃



-10

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-3A

RDS(ON)

5265

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-2A


78100

静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-1A


100140
正向跨导gfs
10
S
输入电容Ciss
382
pF
输出电容Coss
70
反向传输电容Crss
60
栅源电荷密度Qgs
1.2
nC
栅漏电荷密度Qgd
2.3
开启延迟时间td(on)
17
nS
开启上升时间tr
32
关断延迟时间td(off)
37
开启下降时间tf
32




EMF60B02VA的封装外形尺寸:

blob.png


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