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P沟道MOS管 EMF25P02VAT EDFN2X2
P沟道MOS管 EMF25P02VAT EDFN2X2
产品品牌:杰力
产品类型:P沟道MOS管
产品型号:EMF25P02VAT
产品封装:EDFN2X2
产品标题:P沟道MOS管 EMF25P02VAT EDFN2X2 -20V的场效应管 中低压MOSFET
咨询热线:0769-89268116

产品详情


P沟道MOS管 EMF25P02VAT EDFN2X2 -20V的场效应管 中低压MOSFET



EMF25P02VAT的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS-20V
栅极-源极电压
VGS±8

漏极电流-连续

TA=25℃

ID
-7.8A

漏极电流-连续

TA=70℃

-5.8
漏极电流-脉冲IDM-31.2
功耗 TA=25℃PD
2.08W
功耗 TA=70℃1.33
结温和存储温度Tj,Tstg
-55~+150




EMF25P02VAT的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压V(BR)DSS-20

V
栅极开启电压VGS(th)-0.4-0.75-1.2
栅极漏电流
IGSS

±100nA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V

IDSS


-1μA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V,Tj=125℃



-10

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-5A

RDS(ON)

2125

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-4A


2735

静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-2A


3550
正向跨导gfs
16
S
输入电容Ciss
1148
pF
输出电容Coss
210
反向传输电容Crss
180
栅源电荷密度Qgs
3.7
nC
栅漏电荷密度Qgd
6.9
开启延迟时间td(on)
20
nS
开启上升时间tr
35
关断延迟时间td(off)
50
开启下降时间tf
40




EMF25P02VAT的封装外形尺寸:

blob.png


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