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双P沟道MOS管 EMF20B02V EDFN3X3
双P沟道MOS管 EMF20B02V EDFN3X3
产品品牌:杰力
产品类型:P沟道MOS管
产品型号:EMF20B02V
产品封装:EDFN3X3
产品标题:双P沟道MOS管 EMF20B02V EDFN3X3 贴片MOSFET -20V场效应管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


双P沟道MOS管 EMF20B02V EDFN3X3 贴片MOSFET -20V场效应管



EMF20B02V的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS-20V
栅极-源极电压
VGS±12

漏极电流-连续

TA=25℃

ID
-8.5A

漏极电流-连续

TA=70℃

-6
漏极电流-脉冲IDM-34
功耗 TA=25℃PD
2W
功耗 TA=70℃1.28
结温和存储温度Tj,Tstg
-55~+150




EMF20B02V的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压V(BR)DSS-20

V
栅极开启电压VGS(th)-0.4-0.75-1.2
栅极漏电流
IGSS

±100nA

零栅压漏极电流

VDS=-16V,VGS=0V

IDSS


-1μA

零栅压漏极电流

VDS=-12V,VGS=0V,Tj=125℃



-10

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-8.5A

RDS(ON)

1520

静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-4.5A


1925

静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-2.5A


2640
正向跨导gfs
22
S
输入电容Ciss
3050
pF
输出电容Coss
460
反向传输电容Crss
410
栅源电荷密度Qgs
2.2
nC
栅漏电荷密度Qgd
6.8
开启延迟时间td(on)
20
nS
开启上升时间tr
50
关断延迟时间td(off)
90
开启下降时间tf
60




EMF20B02V的封装外形尺寸:

blob.png


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