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产品分类

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P沟道MOS管 EMB80P03G SOP-8
P沟道MOS管 EMB80P03G SOP-8
产品品牌:杰力
产品类型:P沟道MOS管
产品型号:EMB80P03G
产品封装:SOP-8
产品标题:P沟道MOS管 EMB80P03G SOP-8 贴片MOSFET 中低压场效应管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


P沟道MOS管 EMB80P03G SOP-8 贴片MOSFET 中低压场效应管



EMB80P03G的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS-30V
栅极-源极电压
VGS±20

漏极电流-连续

TA=25℃

ID
-3.5A

漏极电流-连续

TA=100℃

-3
漏极电流-脉冲IDM-14
功耗 TA=25℃PD
2.5W
功耗 TA=100℃1
结温和存储温度Tj,Tstg
-55~+150




EMB80P03G的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压V(BR)DSS-30

V
栅极开启电压VGS(th)-1-1.5-3
栅极漏电流
IGSS

±100nA

零栅压漏极电流

VDS=-24V,VGS=0V

IDSS


-1μA

零栅压漏极电流

VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃



-10

静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-3.5A

RDS(ON)

7585

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-2.5A


125145
正向跨导gfs
5
S
输入电容Ciss
337
pF
输出电容Coss
48
反向传输电容Crss
36
栅源电荷密度Qgs
0.9
nC
栅漏电荷密度Qgd
1.1
开启延迟时间td(on)
15
nS
开启上升时间tr
30
关断延迟时间td(off)
35
开启下降时间tf
30




EMB80P03G的电特性:

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