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双P沟道MOS管 EMB50B03V EDFN3X3
双P沟道MOS管 EMB50B03V EDFN3X3
产品品牌:杰力
产品类型:P沟道MOS管
产品型号:EMB50B03V
产品封装:EDFN3X3
产品标题:贴片MOSFET 中低压场效应管 EMB50B03V EDFN3X3 双P沟道MOS管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


贴片MOSFET 中低压场效应管 EMB50B03V EDFN3X3 双P沟道MOS管



EMB50B03V的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS-30V
栅极-源极电压
VGS±20

漏极电流-连续

TA=25℃

ID
-5.5A

漏极电流-连续

TA=100℃

-4.2
漏极电流-脉冲IDM-22
功耗 TA=25℃PD
2W
功耗 TA=100℃1.08
结温和存储温度Tj,Tstg
-55~+150




EMB50B03V的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压V(BR)DSS-30

V
栅极开启电压VGS(th)-1-1.5-3
栅极漏电流
IGSS

±100nA

零栅压漏极电流

VDS=-24V,VGS=0V

IDSS


-1μA

零栅压漏极电流

VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃



-10

静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-5A

RDS(ON)

4050

静态漏源导通电阻

VGS=-5V,ID=-4A


6580
正向跨导gfs
16
S
输入电容Ciss
820
pF
输出电容Coss
122
反向传输电容Crss
97
栅源电荷密度Qgs
2.2
nC
栅漏电荷密度Qgd
2.5
开启延迟时间td(on)
5.5
nS
开启上升时间tr
10
关断延迟时间td(off)
18
开启下降时间tf
15




EMB50B03V的封装外形尺寸:

blob.png



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